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有重要经济和国家安全问题的国家可以采取突出重点的办法，在国内建立一些先进的半导体制造能力，以满足它们在关键应用领域敏感的需要。

我们发现美国在半导体制造能力中的份额从1990年的37%下降了到2020年达到12%。如果这种趋势继续下去，届时只有6%的产能位于美国。相比之下，中国预计在未来十年将增加约40%的新产能，并一跃成为全球较大的半导体制造基地。

这一趋势背后的关键因素是经济学。在美国运营一家工厂10年所需支出的成本比亚洲高出约25%到50%，其中40-70%的差异直接归因于政府的激励。根据我们先前的分析，200亿到500亿美元的联邦政府计划，能为未来十年建立新的较先进的工厂提供额外的赠款和税收奖励，这将有效地扭转这一下降趋势。

汽车电子展小编估计，一个500亿美元的激励计划将使美国在未来十年内建造19个工厂，如果不采取行动，这一数字将增加一倍。相反，要实现完全自给自足的目标，则需要高达4000亿美元的政府奖励。表22描述了这种市场驱动的、有针对性的200亿至500 亿美元的政府激励计划如何使美国能够保持“较低可行能力”。

据汽车电子展的了解，目前世界上所有10纳米以下的容量都位于韩国（8%) 和中国台湾(92%）。鉴于先进逻辑芯片在高性能计算和人工智能方面的重要性，美国近期将其确定为微电子供应链中的一个关键。

我们估计，为了满足国内对关键基础设施应用的先进逻辑芯片的预期需求，美国只需要在2030年前于本土建造2-3个先进 的FAB，假设新的FAB的每月产能介乎20000和35000个硅片之间。这种产能的增加与市场需求很好地吻合。

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来源：半导体行业观察