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氮化镓和碳化硅为成熟的第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），其余包括氧化锌、金刚石、氮化铝的研究还处于起步阶段。

氮化镓是未来较具增长潜质的化合物半导体，能迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域。与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。

氮化镓拥有大禁带宽度、直接带隙，很高的电子迁移率等的特点，是一种理想的短波长发光器件材料，并且耐高温，耐高压，在较大频率和功率密度方面都远优于Si材料，相对于头一代和第二代半导体具有更好的物理属性，能更好的满足未来发展需求。

其主要应用于军用或高性能射频器件，包括卫星、航天、手机等通信领域，以及在光电子，微电子，高温大功率器件和高频微波器件等非通信领域中均有广泛的应用。

随着GaN快充市场渗透率逐步提升，各厂家主动布局。继ANKER、AUKEY、RAVPower之后，OPPO、小米和华为陆续推出氮化镓快充，同时2020年CES展共30家厂商推出60款氮化镓快充，氮化镓快充凭借自身的大功率、低体积优势，未来或成为手机标配，同时适配笔记本电脑，为出行“减负”。

目前氮化镓通过其高频开关速度特性，提升电源转化效率，降低充电头发热，帮助充电器小型化。因此GaN充电器同等功率下体积更小，同等体积下功率更大。

在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。

目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域；在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。

基站建设将是氮化镓市场成长的主要驱动力之一。Yoledevelopment数据显示，2018年，基站端氮化镓射频器件市场规模不足2亿美元，预计到2023年，基站端氮化镓市场规模将超5亿美元。氮化镓射频器件市场整体将保持23%的复合增速，2023年市场规模有望达13亿美元。

全球每年新建约150万座基站，未来5G网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微基站，对GaN器件的需求量将大幅增加。此外，国防市场在过去几十年里一直是氮化镓开发的主要驱动力，目前已用于新一代空中和地面雷达。

随着5G高频通信的商业化，氮化镓将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。

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来源：深度行业研究