电子展|功率半导体市场空间分析！

电子展了解到，功率半导体器件根据其集成度的不同，通常被划分为三个主要类别：分立器件（包括模块）、功率模块和功率集成电路（IC）。本文将重点探讨功率半导体分立器件的市场情况。这些分立器件基于其结构的不同，可以进一步细分为二极管、功率晶体三极管、晶闸管、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及宽禁带半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。在这些分立器件中，MOSFET、IGBT和SiC MOSFET因其强劲的市场需求而尤为突出。

根据世界半导体贸易统计(WSTS)组织预测，2024 年全球半导体销售额将增长 13.1%。功率半导体的市场规模在全球半导体行业的占比在 8%—10%之间，结构占比保持稳定。

根据 Omdia 预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计至2024 年市场规模将增长至 522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。预计2027年市场规模将达到596亿美元，其中功率IC市场占 54.8%，功率分立器件占30.1%， 功率模块占15.1%。2022年中国功率半导体市场规模约为1368.86亿元，同比增长4.4%。中商产业研究院预测，2023年中国功率半导体市场规模增长至1519.36亿元，2024年将达1752.55亿元。中国功率半导体的市场规模占全球市场约为 38%，功率半导体作为实现我国电气化系统自主可控以及节能环保的核心零部件，在智能电网、新能源汽车等领域需求量大幅提升。IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道交通、新能源汽车等领域。目前在轨道交通领域已经实现技术突破，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，我国IGBT产量快速增长。IGBT 从穿通、 非穿通、场截止和平面栅、沟槽栅两条路径升级，器件结构升级带来耐压、降低损耗和导通电阻性能不断提升。

中商产业研究院报告显示，2022年中国IGBT产量达3058万只，同比增长26.5%，2023年产量约为3573万只。中商产业研究院预测，2024年中国IGBT产量将达到3900万只。

根据WSTS数据显示，2023年全球IGBT市场规模达到90亿美元，预计2026年将达到121亿美元;中国是全球IGBT主要消费市场，2023年中国IGBT市场规模达32亿美元，预计到2026年中国IGBT市场规模将达到42亿美元。

而根据YOLE数据显示，2022年全球IGBT的市场规模约为68亿美元，受益于新能源汽车、新能源、工业控制等领域的需求大幅增加，预计2026年全球IGBT市场规模将达到84亿美元。中国是全球主要IGBT市场，约占全球IGBT市场规模的40%，预计到2025年中国IGBT市场规模将达到522亿元。

电子展了解到，MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性，应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域。从功率半导体器件结构来看，MOSFET 从平面型、沟槽型、超级结、屏蔽栅器件结构不断升级，器件耐压性和开关频率性能大幅提升。

根据中金企信数据，全球MOSFET行业市场规模保持稳定扩张，市场前景广阔。2022年全球MOSFET市场规模达129.6亿美元，同比增长14.49%，2023年达133.9亿美元。

电子展了解到，中国MOSFET行业市场规模也保持稳定扩张趋势，增速高于全球市场增速。2022年中国MOSFET市场规模约为54.0亿美元，同比增长15.88%，2023年达56.6亿美元。预计2025年中国MOSFET市场规模将增长至64.7亿美元，年化复合增长率为8.5%，增速高于全球市场增速。

文章来源：与非网eefocus