电子展|新材料大揭秘：第三代化合物全解析

近年来，随着新能源汽车、5G 通信、光伏等产业的快速发展，对高频、高温、高压、高功率半导体器件的需求急剧增加，第三代半导体化合物迎来了更广阔的发展空间。SiC 器件在新能源汽车电驱系统、充电桩、光伏逆变器等领域得到越来越多的应用；

电子展了解到，GaN 器件在 5G 基站射频功率放大器、快充充电器等领域展现出巨大的优势。同时，研发和生产技术不断进步，晶圆尺寸不断扩大，晶体缺陷密度不断降低，器件性能和可靠性持续提升，成本也在逐渐降低 。
第三代化合物的分类
硅化物半导体：
典型代表是碳化硅（SiC）。具有宽的能带间隙，能在高温环境中保持良好的半导体特性；高热导率，可为电力电子器件提供更好的冷却效果，延长器件寿命；耐高电压，可应用于高压电子器件，如电网中的大功率转换设备。
氮化物半导体：
主要指氮化镓（GaN）及其合金。电子展了解到，相比碳化硅，氮化镓具有更高的电子迁移率，适用于高频率应用，如射频（RF）设备；其宽能带间隙提供了出色的耐热和耐高电压性能；并且具有优异的光发射性能，适用于 LED 和激光二极管的制造。
金属氧化物半导体：
典型代表是氧化锌（ZnO）和氧化镉锌（CdZnO）。这些材料具有透明性，在透明电极、触摸屏和透明电子器件中具有优势；在某些应用中具有高迁移率，甚至可以超过传统的半导体材料；还具有柔韧性，为柔性电子器件和可穿戴设备提供了可能性。
钙钛矿结构半导体：
电子展了解到，近年来在光伏领域迅速崭露头角，特别是在太阳能电池的研发中。具有高光电转换效率，与传统的硅基太阳能电池相当甚至在某些情况下超过；低制造成本，制造过程更为简单且成本更低；同时具有柔韧性，可用于柔性电子设备上，如可弯曲的太阳能电池板。

总体而言，第三代半导体化合物的发展历程是一个从早期探索到技术突破，再到快速发展和广泛应用的过程。随着技术的不断进步和市场需求的持续增长，其在未来的电子、电力、通信等领域的应用前景将更加广阔。

文章来源：闪德半导体