电子展|宽禁带半导体新时代，CMP技术助力产业发展

随着科技的飞速发展，宽禁带半导体材料逐渐成为行业焦点。CMP（化学机械抛光）技术在宽禁带半导体制造过程中发挥着重要作用。今天，就让我们一起来了解一下宽禁带半导体与CMP技术的紧密联系。

宽禁带半导体是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等。相较于传统的硅基半导体，宽禁带半导体具有以下优势：

高击穿电压：宽禁带半导体材料的击穿电压远高于硅基半导体，有利于提高功率器件的性能。高热导率：宽禁带半导体具有更高的热导率，有利于器件散热，降低热损耗。高电子迁移率：宽禁带半导体的电子迁移率较高，有利于提高器件的工作频率。

宽波长范围：宽禁带半导体材料可覆盖从紫外到红外的波长范围，适用于光电器件和激光器等。

CMP技术在宽禁带半导体制造中的应用

优化晶圆表面质量

在宽禁带半导体制造过程中，CMP技术发挥着重要作用。电子展了解到，通过CMP技术，可以有效地去除晶圆表面的损伤层，降低表面粗糙度，提高晶圆的平面度，为后续工艺提供良好的基础。

减小器件尺寸

随着宽禁带半导体器件向高性能、小型化方向发展，CMP技术在降低器件尺寸方面具有重要意义。电子展了解到，通过精确控制CMP过程，可以实现纳米级平整度的晶圆表面，有利于器件性能的提升。

提高器件可靠性

宽禁带半导体器件在高温、高压等恶劣环境下工作，对器件可靠性提出了较高要求。CMP技术可以有效去除晶圆表面的缺陷和杂质，降低器件失效概率，提高可靠性。

适应不同材料体系

电子展了解到，宽禁带半导体材料多样，CMP技术需要针对不同材料体系进行优化。通过研究新型抛光液、抛光垫等材料，实现高效、低损伤的CMP工艺，满足不同材料体系的需求。

具体实例

CMP在碳化硅半导体方面的应用

去除表面损伤层： 在碳化硅晶圆生产过程中，晶圆表面可能会形成一层非晶态的损伤层，这会影响后续的器件性能。CMP技术通过使用含有磨料的抛光液（如氧化铝或二氧化硅纳米颗粒）在适当的压力和旋转速度下抛光晶圆表面，有效地去除这层损伤层。

平坦化处理： 碳化硅MOSFET制造中，源极和漏极区域的平坦化至关重要。CMP技术通过多步骤的抛光过程，首先使用粗抛光液去除大部分材料，然后使用精抛光液进行微调，以达到极高的表面平坦度。例如，CMP过程中可能会使用一种粗抛光液去除约1微米的材料层，随后使用精抛光液进行最终平坦化，去除剩余的几十纳米厚的材料。

背面抛光： 为了减少碳化硅晶圆的电阻，需要进行背面抛光。CMP技术可以精确控制晶圆背面的减薄程度，比如将晶圆从初始的350微米减薄到最终的100微米，以提高热导率和电气性能。

CMP在氮化镓半导体方面的应用

去除表面缺陷： 氮化镓材料在生长过程中可能会形成位错和裂纹，这些缺陷会成为电流泄漏的路径。CMP技术通过使用特定的抛光液和工艺参数，可以有效地平滑这些缺陷。例如，使用含有胶体二氧化硅和表面活性剂的抛光液，可以在不引入新缺陷的情况下去除表面缺陷。

晶圆减薄： 氮化镓HEMT器件要求晶圆非常薄，以降低器件的电容和电感。CMP技术可以用于减薄晶圆，比如将晶圆从200微米减薄到50微米。这个过程需要精确控制，以避免过抛光导致器件损坏。

牺牲层去除： 在氮化镓HEMT制造中，通常会使用牺牲层来形成器件的结构。CMP技术用于去除这些牺牲层，比如去除用于隔离不同器件区域的氮化镓牺牲层，以形成良好的电学隔离。

通过这些具体的应用实例，我们可以看到CMP技术在宽禁带半导体制造中的关键作用，它不仅涉及到材料去除和表面平坦化，还包括对器件性能和可靠性的精细调控。这些过程需要高度专业化的设备和工艺，以确保最终产品的质量和性能。

文章来源：DT半导体