智能工厂展nepcn|先进半导体材料及辅助材料未来的建设方向

集成电路芯片关键材料及装备是中国集成电路产业发展的核心因素。智能工厂展nepcon了解到，由于安全自主可控能力差、优秀集成电路芯片需求迫切，应加强人才培养和资源供给。工程目标包括提高12英寸和18英寸硅片以及外延性原材料技术实力、科学研究新式3D集成技术、完成大尺寸硅单晶生长发育设备及加工设备的安全自主可控。具体任务涵盖提升12英寸高品质硅片生产制造能力、开发多种多样集成电路辅助材料、培养国产半导体主要设备，并通过专项资金和产教融合平台处理人才缺乏问题，以保证我国集成电路产业的可持续发展和供应链安全。

智能工厂展nepcon了解到，在长达10年变化，我国建立了以SiC和GaN为代表三代半导体产业体系，但关键装备和材料多依赖进口，增加了供应链风险。因此，需建立化合物半导体材料、工艺和装备国产化验证平台。工程目标包括实现6英寸和8英寸SiC及GaN材料的批量生产和70%的国产化率。任务涵盖晶体材料生长设备及其辅助原材料和零部件验证、晶体的切磨抛加工设备验证、芯片工艺装备和封装检测设备验证。平台将提供小批量代工服务，促进技术升级，降低研发和验证成本，确保产业链安全和健康发展。

化合物半导体材料和器件在5G、能源互联网、新能源汽车、光伏逆变器等领域具有重要应用，支持国家智能化、节能减排和自主可控战略。未来5年，GaN射频器件和功率器件将在5G基站、消费电子等领域迎来巨大市场，SiC功率器件将在能源互联网和新能源汽车中广泛应用，国内市场规模将超千亿元。智能工厂展nepcon了解到，国内产业布局分散，技术和产业化能力较弱，需要通过应用示范工程提升技术和产业协同发展，实现产业化。目标包括GaN射频器件在5G基站国产化率达50%，在移动终端达70%；GaN功率器件在消费电子领域国产化率达80%；SiC功率器件在电力路由器和新能源汽车领域国产化率达50%。任务包括研发高质量GaN和SiC外延材料、GaN功率器件、SiC高压器件及封装模块，推进产业化。

为促进半导体产业发展，应发挥龙头企业的引领作用，推动产业“链式集聚”，形成多个技术、人才和产业高地。围绕5G、AI、工业互联网、新能源等领域，政府应支持核心器件的技术攻关和产业化突破，建设国家级中试平台和先进代工厂，推动垂直整合制造企业的自主可控发展。建立分段工艺设备研发和验证平台，实现整线集成，掌握核心技术，培养技术和管理人才。通过政策和资金支持，推动国产装备、材料与器件的示范应用，提升国产化水平，加速产业发展。

文章来源：中天齐洋