深圳电子展
2025.10.28-30
深圳国际会展中心(宝安)

电子设备展|第三代半导体争夺战开启,国内外供应商竞争正烈

第三代半导体在功率元件领域的应用正持续增长,特别是在绿色能源、800V电动车动力系统、高压快速充电站、消费电子适配器、数据中心和通信基站电源等快速发展的领域,这些需求推动了碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的市场增长。

 

据第三代半导体产业技术创新战略联盟的数据,2023年全球SiC/GaN功率电子市场规模达到约30.7亿美元,其中纯电动和混合动力汽车(EV/HEV)市场占比约70%,成为市场增长的主要动力。Yole预计,在消费电子、数据中心和新能源汽车的推动下,到2029年全球GaN市场规模将达到22亿美元,未来五年的复合增长率为29%;而SiC市场规模在2029年将达到100亿美元,受到工业和汽车应用的推动。

 

电子设备展了解到,在芯片和器件制造领域,国际龙头企业如意法半导体(ST)、英飞凌(Infineon)、Wolfspeed、安森美(onsemi)和罗姆(ROHM)的SiC器件业绩同比增长超过50%。这些企业设定了到2030年实现SiC功率电子市占率30%-40%的目标,并在2023年财报中显示,五大龙头企业的市占率达到82%,显示出产业的高度集中。

 

中国市场方面,2023年中国SiC/GaN功率器件模组市场规模约为153.2亿元人民币,同比增长45%。第三代半导体在功率电子领域的渗透率超过12%,进入高速增长阶段。新能源汽车(包括充电基础设施)是第三代半导体功率电子最大的应用领域,市场占比70.67%,其次是消费类电源和功率因数校正(PFC),分别占比11.16%和5.78%。

 

碳化硅(SiC)作为半导体材料,以其优异的性能在功率转换和控制领域得到应用。 电子设备展了解到,SiC在自然界中极为罕见,最早在46亿年前的陨石中被发现,因此被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。SiC最初应用于光伏储能逆变器、数据中心服务器UPS电源和智能电网充电站等高转换效率领域,后来发现其也非常适合制造大功率汽车电子器件,如车载充电器、降压转换器和主驱逆变器。

 

特斯拉(Tesla)在Model 3/Model Y主驱逆变器中采用SiC器件后,SiC的市场影响力迅速扩大,xEV汽车市场成为SiC市场增长的新动力。比亚迪高端车型“汉”也搭载了SiC器件,并预计到2024年将在旗下电动车中全面替代硅基IGBT器件,提升整车性能10%。

 

然而,晶圆供应短缺一直是SiC产业发展的瓶颈。面对市场需求的增长,包括晶圆厂在内的多家企业已扩大投资以支持供应链建设。安森美(onsemi)在2021年收购SiC晶圆衬底供应商GTAT,并与科锐(CREE)签署多年期供应协议。2022年,安森美在美国新罕布什尔州哈德逊的SiC工厂落成,产能同比增加五倍;并在捷克共和国Roznov的SiC工厂扩建,预计两年内产能提高16倍。

 

 电子设备展了解到,英飞凌(Infineon)在奥地利菲拉赫启动300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂,并在马来西亚居林工厂建造第三个厂区生产SiC和GaN功率半导体产品。2023年,英飞凌与Resonac Corporation签署SiC多年期供应和合作协议,未来十年将由Resonac供给一定比例的SiC材料。

 

意法半导体(ST)宣布在意大利卡塔尼亚建立8英寸SiC功率器件和模块制造基地,总投资额约50亿欧元,预计2026年运营投产,2033年前达到全部产能,晶圆产量可达1.5万片/周。

 

罗姆(ROHM)计划在2021-2025年为SiC业务投入1,700-2,200亿日元,预计到2025年SiC产能提升6倍,到2030年提升25倍。

 

2023年全球公开披露的SiC相关扩产项目达121起,总投资金额高达260亿美元,其中中国占97起。天岳先进将上海临港工厂6英寸SiC衬底生产规模扩大至每年96万片;三安光电与ST合资,在重庆投资建设8英寸SiC外延与芯片代工厂,并单独投资建设8英寸SiC衬底工厂。

 

SiC功率器件价格约为同规格Si功率器件价格的4倍,衬底占总成本约40%。业界将8英寸作为降低成本和稳定供应的主要手段。尽管2023年全球有超过11家企业宣布8英寸SiC材料扩产计划,但8英寸SiC衬底出货量仅占2%,规模量产仍在推进中。

 

行业生产以6英寸为主,SiC从6英寸向8英寸过渡的难点包括扩径生长、温场控制、晶体切磨抛以及晶圆加工的一致性、稳定性、良率等挑战。随着这些问题的逐步解决,8英寸规模量产将降低SiC功率电子器件成本,推动市场应用。

 

集邦咨询统计显示,中国有10家企业和机构在研发8英寸衬底,包括烁科晶体、晶盛机电、天岳先进等。国际大厂如Wolfspeed、ROHM、英飞凌、ST等已迈入8英寸生产,量产节点提前至今年。

 

SiC转向8英寸的市场动力还包括市场竞争加剧和产能过剩的担忧。CASA Research预测,到2027年中国宣布的SiC衬底产能将占全球产能40%以上。中国6英寸碳化硅衬底价格比国际供应商低30%,而全球电动汽车市场需求疲软,碳化硅需求缩减,供应厂商为抢夺订单而降低价格。部分企业如意法半导体、英飞凌、罗姆、Wolfspeed、安森美和X-fab等调低了碳化硅的营收增长目标。

 

 

 

文章来源:化合物半导体洞察