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国内封测市场容量不断扩大

随着消费类电子、汽车电子、安防、网络通信市场需求增长，我国封测市场规模不断增长。数据显示，2013-2018 年中国半导体封测市场规模从 1099 亿元增长至 2193 亿元，年复合增长率达 14.83%。从产业链位置来看，封装测试位于半导体器件生产制造的结束一环，完成封装测试后的成品可应用于半导体应用市场。当前国内主要封测厂商已掌握先进封装的主要技术，能够和日月光、矽品和安靠科技等国际封测企业竞争。随着我国半导体行业不断扩容，国内封装测试行业市场空间也不断扩大。

半导体封测行业发展前景及趋势预测

（1）先进封装技术成为封测行业追踪热点

目前先进封装有两种技术路径：一种是减小封装体积，使其接近芯片本身的大小，这一技术路径统称为晶圆级芯片封装（WLCSP），包括扇入型封装（Fan-In）、扇出型封装（Fan-Out）、倒装（FlipClip）等。倒装是指芯片植球完成后，将芯片电气面朝下进行封装的技术。该技术能够有效避免引线键合技术存在的阻抗高、降低封装尺寸困难等问题。由于倒装技术采用金属球连接，能够缩小封装尺寸，更适合应用在高脚数、小型化、多功能的 IC 产品中。随着物联网、可穿戴设备、智能家居等新兴市场增长，倒装技术因其优良的电气性能、封装密度高等特点，应用越来越广泛。

另一种封装技术是将多个裸片封装在一起，提高整个模组的集成度，这一技术路径叫做系统级封装（SiP）。SiP 工艺是将不同功能的芯片集成在一个封装模块里，大大提高了芯片的集成度，是延续摩尔定律的规律重要技术。随着物联网、可穿戴设备、智能家居、健康护理、安防电子、新能源汽车、光伏、智能电网、5G 通信射频等新兴应用领域市场的快速发展，对于先进封装的需求逐渐增加，晶圆级封装成为全球主要封测企业技术研发的主要方向。

（2）宽禁带材料成研发主流，带动 MOSFET 和 IGBT 等器件受追捧

随着半导体性能要求的提高，高电压、高电流以及低功耗的材料成为研发重点。宽禁带材料制作的半导体器件具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下的理想材料。

利用宽禁带半导体材料制造的 MOSFET 和 IGBT 等产品受追捧。MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，可广泛运用于数字电路和模拟电路。使用宽禁带半导体材料制造的 MOSFET 则可以承受更高的电压，在高温与常温下导通损耗与关断损耗均很小，驱动电路简单，有利于电路节能和散热设备的小型化。

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文章来源：普华有策